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Alain Bruno FADJIE

VILLENEUVE D’ASCQ

En résumé

Titulaire d'un Doctorat en Physique à l'Université de Rennes, Je suis actuellement Ingénieur - Chercheur en CDD au CEA - Leti Grenoble. Je travaille sur le développement des nouveaux contacts sur semiconducteur pour les noeuds technologiques de 14 nm et plus.

Mes compétences :
Electronique
Interfaces
Oracle
Oracle Database
Système d'information
Linux
Gestion de projet
SQL
Science des matériaux
Caractérisation des matériaux
Traitement de surface
Caractérisation électrique
Couche mince
Analyse physico chimique des matériaux

Entreprises

  • IEMN Lille - Conception transistors à faibles conommation

    VILLENEUVE D’ASCQ 2013 - 2015 • Optimisation de procédés de dépôt d’oxyde métallique à haute constantes diélectriques sur les semi-conducteur III-V sur des équipements semi-industriels.
    • Caractérisations physico-chimiques et Electrique, des interfaces oxyde métallique / semi-conducteur III-V.
    • Développement des procédés de fabrication des transistors FinFET-GAA sur des semi-conducteur III-V.
    • Optimisation des procédés de passivation et de réduction d’interface dans les oxydes métalliques.
    • Développement des procédés de traitement après dépôt et des procédés de dépôts des matériaux à hautes constantes diélectriques sur l’équipement semi-industriel.
    • Gestion du module oxyde dans le projet MOSINAS.
    • Micro fabrication des transistors FinFET et des capacités MOS (design du masque, lithographie)
  • Université Joseph Fourier - Ingenieur de Recherche, Microelectronique et Composants

    Saint-Martin-d'Hères 2012 - 2013 • Veille Technologique sur les procédés de contacts innovants
    • Caractérisations physicochimiques et électriques des matériaux à high-k sur des substrats III-V
    • Dépôts des matériaux high-k ((Al2O3, HfO2) sur équipement semi-industriels pour des contacts innovants.
    • Caractérisations électriques des composants CMOS et des contacts Métal/semi-conducteur
  • CEA, Leti Grenoble - Ingénieur - Chercheur

    2012 - 2012 • Veille Technologique sur les procédés de contacts non-siliciurés/dipoles
    • Caractérisation matériaux et développement des procédés sur semi-conducteurs.
    • Dépôt et caractérisation matériaux high-k (Al2O3, HfO2) sur des équipements industriels.
    • Caractérisation électrique des composants CMOS
  • CNRS Bretagne - Doctorant - Chercheur

    2008 - 2011 • Caractérisation des monocouches moléculaires greffées sur semi-conducteur et leurs interfaces.
    • Caractérisation des centres électro actifs pour la détection spécifique et des mémoires moléculaires
    • Caractérisation électrique des jonctions Métal-Isolant-Semi-conducteurs.
  • CEA Saclay - Stagiaire

    Gif-sur-Yvette 2008 - 2008 Réalisation des couches de barrières de diffusion pour la croissance des nanotubes de carbone.

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