Bing HAN

10/2005-12/2008 Thèse effectuée à l’Institut des Nanotechnologies de Lyon Lyon - France
Etude des composants nanophotonique pour le développement de circuits intégrés et télécommunication.
§ Mise en œuvre de logiciels de simulation des composants d’optique intégrée s’appuyant sur des théories électromagnétiques rigoureuses.
§ Mise en œuvre de bancs de mesures pour la caractérisation de composants optoélectroniques avec système d’acquisition et de traitement des données.
§ Conception et caractérisation de composants optique sur substrat silicium sur isolant (laser, guide d’onde et modulateur).
§ Développement de technologie de microélectronique en utilisant photonique.
§ Collaboration des projets sur les programmes PICMOS et CAURICO.

03/2005-07/2005 Stage effectué à l’Institut des Nanotechnologies de Lyon Lyon – France
§ Réalisation de modèle de mobilité de porteur à transistor.
§ Simulation physique et optimisation de transistor ultime avec couche ultra mince de silicium.

03/2004-07/2004 Stage effectué à l’Institut Néel Grenoble - France
§ Développement de procédé de RIE (Reactive-Ion Etching) et PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition).
§ Réalisation de technique de la salle blanche.

01/2001-09/2002 Ingénieur commerciale à SHENYANG YITONG Analytical Instrument Co.Ltd ShenYang - Chine
§ Echange d’information commerciale, Promotion des produits.
§ Communication parmi l’équipe technique, l’équipe commerciale et clients

08/1998-12/2000 Ingénieur assistant à SHENYANG YITONG Analytical Instrument Co. Ltd Shenyang - Chine
§ Fabrication, Caractérisation de produit (capteur optique intégré).

03/1998-06/1998 Ingénieur procédé à l’Institut Microélectronique Nord-Est Shenyang - Chine
§ Maîtrise d’élaboration de circuit intégrée.
§ Caractérisation de propriété I-V et C-V de transistor.