Yannick D. Baines
Ingénieur R&D - Matériaux et composants III-V, Soitec Specialty Electronics
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COMPETENCES
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SCIENTIFIQUES :
Physique du solide et semi-conducteurs, micro ingénierie sur couches minces, cryogénie, mesures physiques et traitement du signal.
TECHNIQUES:
- Ingénierie de surface : Micro/Nano fabrication sur couches minces semi-conductrices et caractérisation
- Electronique de mesure : Lock-in, filtres passifs, amplificateurs de tension, convertisseurs I-V, multimètres numériques (Agilent, Keithley), oscilloscopes, analyseurs de spectre, DAC/ADC, sources de courant
- Composants : transistors à effet de champ (MOSFET, HEMT)
- Système de refroidissement et fluidiques: cryostats, système à vide (pompe primaire, turbo, roots), thermométrie.
LANGAGES :
- Matlab/C : traitement des données, simulation , interfaces de commande
- Labview : interfaces de commandes, traitement du signal
- LateX : composition de documents professionnels
- Mathematica : calcul formel
COMMUNICATION :
- Présentation séminaires et posters devant des experts (conférences internationales)
- Enseignement et travail en équipe
- Rédaction d'articles scientifiques / Rédaction d'un cahier des charges
20 contacts- R&D structure épitaxiales (héterostructure III-V pour composants de type HEMT)
- Caractérisation de matériaux III-V (epi-layers GaAs,AlGaAs,InGaAs,InGaP, GaN)
- Caractérisation de composants III-V (HFET, D-mode, E-mode, diodes)
- Etudes des corrélations Matériaux/composants
- Métrologie (ECV profiler, résistivité/mobilité sans contact, effet Hall)
- Rapport qualité fournisseur/client
2006 - 2010Fonctions : Doctorant, travail en collaboration avec des pôles techniques et théoriques
Détail du projet :
Etude des propriétés de transport de nano-circuits (type boîte quantiques) à très basse température.
Déroulement du projet de recherche:
1) Conception :
- Synthèse de nano-circuits de type transistor à effet de champ (HEMT) sur des couches minces semi-conductrices (hétérojonctions AlGaAs/GaAs) par méthode de lithographie électronique (Masqueur, UHV, E-gun, gravure ionique, thermal annealing).
- Caractérisation (outils salle blanche).
2) Déploiement d'un système de mesure prototype:
- Mise en place d'un système de mesure électrique prototype des échantillons fabriqués : transport ultra bas bruit.
=> Nécessités : électronique bas bruit et stable, système à déployer pour mesure à très basse température, automatisation du dispositif expérimental.
- Spécification (Analyseur de spectre, mesure de stabilité, tests sur banc)
3) Mesures physiques :
- Mesures fines des propriétés électriques des nano-objets via des expériences de transport (transport linéaire, non linéaire, sous champ magnétique intense, en température, ...)
- Mesures très basses température (réfrigérateur à dilution - 10 mK)
- Publication des résultats dans des revues scientifiques.
2006 - 2007Encadrement TD et TP de résistance des matériaux avec des groupes de 30 étudiants (70 h)
TD : exercices sur des problèmes d'élasticité et calculs d'incertitudes avec des groupes de 30 élèves.
TP : expériences sur des problèmes type en résistance des matériaux (déformation d'une poutre, d'une membrane, d'un cylindre, pendule de torsion, ...)