Jean-Luc Huguenin

Au cours de mon doctorat, j'ai travaillé sur des composants CMOS avancés sur silicium. Des dispositifs à film minces sur diélectrique enterré mince (UTBB) et des dispositifs à grille multiples (MGFET).

Mon rôle était de proposer de nouvelles architectures, de suivre le procédé d'intégration des dispositifs (nombreux échanges avec la salle blanche et les équipes de caractérisation physique). Une fois les dispositifs réalisés, j'ai également était en charge de leur caractérisation électrique (I-V, C-V, extraction de mobilité, mesures en température). Au cours de cette thèse, j'ai également été amené à travailler avec des outils de simulations TCAD (synopsys) et des outils de modélisations.

Ce travail à donner lieu à plusieurs publications de niveau internationales (17 dont 6 en premier auteur) et à 3 brevets.

Stage sur la fiabilité des empilements de grille sur des dispositifs CMOS avancés sur silicium (FinFETs).

L'objectif de ce stage était de réaliser des caractérisations électriques (mesures TDDB et N/P BTI) sur des dispositifs FinFETs pour analyser la fiabilité de différents empilements de grille (high-k/metal). Les résultats obtenus étaient ensuite analysés et confrontés.

Ce stage de 6 mois a été réalisé sur le site de l'IMEC (Leuven, Belgique) dans un milieu anglophone.