Mikael Zobiri
Responsable Etudes Electroniques, ACRELEC
http://sites.google.com/site/mikaelzobiri
Je suis toujours motivé pour relever des défis et réussir.
Dévelopement architecture électronique des produits.
Conception, routage et validation des cartes électroniques
Définition du dossier technique industriel (pannelisation, point de test).
Homologation et certification produit (CEM).
Définition du cahier des charges de sous systèmes électroniques en vue du sourcing.
Participation aux revues d'avancement de projet.
Travail en partenariat avec IBM(USA):
- Simulations sous HSpice et Eldo des composants CMOS d'IBM sur les dernières technologies 28, 32, et 45 nm.
- Développement d'outils de simulations et d'analyses de résultats (PERL)
- Synthèses des analyses.
2009 - 2009Analyses de défaillances des retours clients des composants bluetooth/FM de la téléphonie mobile de ST-ERICSSON.
- Sous-traitance des défaillances des circuits auprès des équipes d'ingénieurs spécialisées, Analyses au SAM, Rayon-X, Obirch, électrique....
- Management du temps de cycle des analyses et rapidité d'actions.
- Management des équipes d'ingénieurs pour le respect les délais.
- Rédaction des rapports 8D (en anglais) des analyses de défaillances et des actions correctives pour les gros clients de ST-ERICSSON
- Suivit des changements de process de fabrication des composants de STMicroelectronics (38).
- Suivit de la rédaction de datasheet (documents constructeur) des composants bluetooth/FM.
Étude et conception d'in détecteur de puissance à 77GHz intégré sur silicium (Stagiaire Master), STMicroelectronics (38)
2008 - 2008- Étude bibliographique sur la détection de puissance en bande millimétrique sur quelques GHz.
- Conception d'un premier circuit de type passif fonctionnant à 77 GHz, Design et Layout.
- Envoi de ce circuit en fabrication.
- Amélioration du circuit pour les dérives en température, en polarisation puis abstraction de la tension d'offset.
- Études Monte-Carlo pour les dérives de Process et de Mismatch
- Conception d'un deuxième circuit de type actif à 77GHz.
Fabrication des transistors HEMT AlGaN/GaN sur substrat reporté (SOI), IEMN - Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (59)
2007 - 2007- Études bibliographiques sur les transistors déjà fabriqués, process et réalisation. État de l'art.
- Apprentissage, suivi de fonctionnement des appareils de laboratoire et de process pour la réalisation des transistors HEMT : gravure, résinage, recuit, photolithographie. Notion des microscopes électroniques et AFM.
- Mesures des différents paramètres caractérisant les propriétés des substrats reportés de PicoGiga (SOITEC) avec les transistors réalisés.
- Étude de la tenue en température des composants fabriqués et des caractéristiques du substrat hybride.
- Etude de robustesse des circuits: Mesures sous pointes micrométriques avec acquisition de données par ordinateur après plusieurs recuits effectués sur une échelle de temps différente et à différentes températures. Échelles TLM, échelles de transistors...
- Développement d'un programme informatique personnel d'acquisition des valeurs pour l'exploitation des résultats obtenus : Transconductance, courant maximum (Ids), courant inverse...
