Ngoc Bich NGUYEN

En résumé

Entreprises

• Université de Bretagne Occidentale - Ingénieur de recherche - postdoctorante

  Brest Cedex 3 2010 - 2011 Missions :
  - Faire de la veille technologique
  - Déterminer les alliages capables de stocker d’avantage hydrogène
  • Construire 14 modèles d’alliages de V ou Fe avec un métal (Sc, Ti, Cr, Mn, Co, Ni)
  • Insérer deux atomes H dans chaque modèle et relaxer les structures atomiques
  • Calculer les distances interatomiques (H-H, H-métal)
  • Calculer l’énergie d’insertion de l’hydrogène pour chaque matériau
  • Calculer les structures électroniques de chaque matériau
  - Etudier les propriétés de transport de nanofils de Fer
  • Déterminer l’état fondamental des chaînes atomiques de Fe
  • Créer des modèles de dimères et des chaînes atomiques équidistantes
  • Construire les modèles des électrodes (4 atomes de Fe)
  • Calculer le coefficient de transmission et la courbe I-V
  
  
  Résultats :
  - Mise en évidence de la forte capacité de stockage de l’hydrogène de l'alliage Fe-Ti
  - Preuve que les nanofils équidistants sont plus favorables pour les applications spintroniques
  - Rédaction de deux articles scientifiques (en cours)
  - Collaboration avec les chercheurs à l’institut de matériaux de Nantes (IMN) et à
  l’université Valladolid (séjours à Nantes et à Valladolid)

• Centre de Recherche sur les ions, les matériaux et la photonique, Caen - Allocataire de recherche

  2006 - 2009 Missions :
  - Faire de la veille technologique
  - Construire des modèles de nanograins de silicium (Si) avec différents paramètres
  - Réaliser les calculs pour relaxer les structures atomiques (jusqu’à 3000 électrons)
  - Calculer les structures électroniques et les spectres d’absorption optique
  - Proposer une approche pour calculer l’énergie de luminescence émise par ces modèles
  par l’intermédiaire du déplacement de Stokes
  - Modifier des modèles en ajoutant un atome terre rare (Er) en différentes positions par
  rapport au nanograin de Si et relaxer les modèles.
  - Calculer l’énergie de formation correspondante à chaque configuration
  - Calculer les niveaux électroniques dus à l’atome Er
  
  Résultats :
  - Preuve que l’origine de l’émission à 800 nm (1,5 eV) des nanograins de silicium
  dans la silice est due à la liaison pontante Si-O-Si
  - Preuve que le transfert d’énergie est le plus efficace lorsque la terre rare est en
  substitution d’un Si à la surface du nanograin
  - Présentation des résultats de recherche lors de 3 conférences internationales
  - Publication de 3 articles scientifiques (dont 1 en cours) - Journal of Physics:
  Condensed Matter, Vol. 20, p. 455209
  - Publication du manuscrit de la thèse aux Editions Universitaires Européennes: Structures atomiques et électroniques, ISBN 978-6131512421

• Institut Néel (GRENOBLE 38) - Stagiaire

  2006 - 2006 Missions :
  - Calculer la structure électronique du graphène, du graphite et de la surface SiC
  - Calculer la structure électronique de l’interface graphène/SiC et la comparer avec celle
  du plan de graphène libre
  
  
  Résultat :
  - Preuve que le substrat SiC modifie fortement la structure électronique du plan de
  graphène
  - Publication d’un article - Physical Review Letters, Vol. 99, p. 126805

Formations

• Université Caen Basse Normandie

  Caen 2006 - 2009 Doctorat: Milieux denses, matériaux et composants

• Institut National Polytechnique

  Grenoble 2005 - 2006 Master de Recherche: Mécanique, énergétique physique et ingénieries

Réseau

• Bangson O BANG

• Jérémy CHABE

• Nicolas VIVET

• Phan THANH MAI

• Sébastien THOMAS

• Sylvain COLAS

• Yves LEMIERE