Philippe Jamet

Optimisation et stabilisation des paramètres des nouvelles technologies CMOS (090nm et 120nm).
Développement et qualification du test paramétrique.
Analyse des Cpk ; définition et exécution des plans d’amélioration.
Support à la ligne de production grandes séries: suivi SPC, anticipation des dérives, actions correctives.
Analyse et affectation des accidents de production, mise en place de plan actions, méthodologie 8D.
Reporting : PT Pass-fail performance ; PT scrap ; Cp/CPK des technologies CMOS (090nm et 120nm).

Recherche et développement de solutions avancées sur les technologies en arséniure de gallium destinées aux amplificateurs de forte puissance pour terminaux sans fil (téléphones portables et stations de base).
Gestion de projet de développement de composants de forte puissance (à 26V et 12V):
Conception des structures epitaxiales et conception des structures de transistors.
Développement des procédés de fabrication des transistors.
Design des barrettes de test électrique, layout niveau transistor.
Création de routes et suivi de production.
Coordination des métiers fonderie, produit, simulation, modélisation, layout et test.
Support technique auprès des clients

Recherches axées sur la conception et fabrication des oxydes thermiques du carbure de Silicium (SiC) et de Silicium (Si).
Caractérisations électriques et physico-chimiques des dispositifs MOS fabriqués sur SiC et Si.
Études expérimentales de l’effet de l’oxygène et de l’azote sur la structure des oxydes.
Intégration d’une méthodologie d’oxydation dans les procédés de fabrication standards des transistors de puissance, permettant le développement commercial de dispositifs MOS fabriqués sur SiC.