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Ahmed BEN SLIMANE

COURBEVOIE

Electionseuropéennes 2024

RETROUVEZ GRATUITEMENTLe résultat des européennes à Courbevoie ainsi que le résultat des européennes dans les Hauts-de-Seine.

En résumé

Mes compétences :
Epitaxy
Gravure seche
Gravure humide
Collage
Passivation
photolithographie
LabVIEW

Entreprises

  • IPVF - Ingénieur épitaxie : MBE

    2017 - maintenant - Calibration, conformité et démarrage de la machine MBE chez RIBER
    - Intégration d’une jonction GaInP sur une cellule Si pour la réalisation d’une cellule solaire tandem

  • Agricool - Ingénieur R&D

    2016 - 2017 - Prototypage des modules de LEDs à refroidissement liquide
    - Conception et design de containers pour la croissance de plants
    - Dimensionnement des équipements : puissance frigorifique, puissance électrique, puissance des pompes
    - Contrôle à distance de température et d’humidité, purification d’air, gestion de l’uniformité du climat

  • Total - Ingénieur de recherche : cellule solaire tandem III-V sur Si

    COURBEVOIE 2014 - 2016 - Cellule solaire tandem III-V sur Si
    - Conception, fabrication et caractérisation des cellules solaires III-V
    - Croissance des cellules photovoltaïques à base des matériaux AlGaAs et InGaP : épitaxie par jets moléculaires
    - Optimisation des étapes de fabrication : photolithographie, gravure, métallisation, passivation, dépôt

  • King Abdullah University of Science & Technology (KAUST) - Assistant d’enseignement

    2012 - 2012 Saudi Research Science Institute (SRSI)
    • Encadrement et support de l’étudiant tout au long du projet
    Le cours de “Dispositifs semiconducteurs optoéléctroniques”
    • Etablissement des TP et corrections des exercices et des examens : (SLD, DFB, multi-mode lasers)

  • King Abdullah University of Science & Technology (KAUST) - Doctorat

    2010 - 2014 Dispositifs flexibles électroluminescents à base des semi-conducteurs III-V
    • Conception, fabrication et caractérisation des micro-diodes électroluminescentes (DEL)
    • Retrait de couches pour le transfert des DEL sur des substrats : silicium, saphir et plastique
    • Développement d’une couche de GaN relaxé pour une épitaxie MBE subséquente
    • Fabrication des files de silicium poreux pour une utilisation comme revêtement anti-réfléchissant
    • Intégration des micro-résonateurs à base de Si dans un dispositif de tomographie en cohérence optique

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