Pascal KRAPF

PSA Peugeot Citroën (Vélizy, 78) : Chef de projet pour l'électronique sous-capot d'un nouveau véhicule : calculateurs d'injection, de boîte de vitesse, de freinage et de direction assistée, pièces d'adaptation et capteurs actionneurs. Animation des équipes, gestion du planning, maîtrise des risques, pilotage de la phase industrielle.

PSA (La Garenne Colombe, 92) : Responsable d'une équipe de conception des fonctions électroniques réparties (10 personnes). Mise en place de l'activité, définition des processus de conception, définition des livrables, encadrement de l'équipe, répartition des tâches, planification, management opérationnel. Application de l'ingénierie système, déploiement d'une méthode de conception outillée avec pour cible le model based design, traçabilité des exigences.
Dépôt de 3 brevets : un pour un système de codage optimisé des données sur un bus de communication et deux pour des dispositifs de protection contre les courts circuits.

PSA (Vélizy, 78) : Responsable d'une équipe d’intégration et de validation des systèmes électroniques (9 personnes). Encadrement de l'équipe, management opérationnel. Déploiement de tests automatisés, rédaction de procédures de test compatibles avec l'automatisation, mise en place d'une traçabilité entre tests et exigences. Investigation de dysfonctionnements électroniques sur véhicule. Méthodologie de l'arbre des causes, investigation par tests automatiques.
Dépôt de 2 brevets pour des dispositifs de mesure électronique et d'un brevet pour la sécurisation d'une interface électronique.

1999-2004 : Pilote fonctionnel (responsable de développement) les systèmes électroniques de freinage (ABS, ESP, frein de stationnement)à La Garenne Colombe (92). Relations avec les fournisseurs, suivi technique, qualité, planning.

1998-1999 : Consultant dans la société SII, en mission chez PSA à Sochaux (25).

1995 : Scientifique du contingent chez Thomson CSF à Orsay (91) : caractérisation électro-optique de capteurs infra-rouges.

1993-1997 : Doctorat au CNRS (Laboratoire d'électronique LEAME à Ecully (69). Etude d'une technologie de production de semiconducteurs (épitaxie par jets moléculaires) pour la réalisation de composants optoélectroniques à hautes performances.