Menu

Aymeric AUPETIT

LIMOGES

Electionseuropéennes 2024

RETROUVEZ GRATUITEMENTLe résultat des européennes à Limoges ainsi que le résultat des européennes dans la Haute-Vienne.

En résumé

Diplômé d'un Master Professionnel THEO "Techniques et Technologies Hyperfréquences, Electroniques et Optiques" en relation avec l'Unité de Recherche CNRS XLIM - LIMOGES (87)


Compétences Professionnelles :

Circuits Actifs et Passifs RF et Microondes, Analyses non linéaires des circuits, Modélisation et Optimisation, Résonateurs, Amplification de Puissance, Technologies MEMS et MMIC, Dispositifs optoélectroniques, Systèmes et Réseaux RF et Optiques, Antennes, CEM, Electromagnétisme, Rayonnement et Propagation


Outils CAO :

ADS & Momentum, HFSS, Cadence, Comsis, Matlab-Simulink et Labview

Mes compétences :
Hyperfréquences
Télécommunications
Radiofréquences

Entreprises

  • EADS Astrium - Toulouse (31) - Ingénieur Tests RF sur Satellites

    2012 - maintenant

  • EADS Astrium (Consultant ALTEN SO) - Toulouse (31) - Ingénieur Tests RF sur Satellites

    2010 - 2012

  • THALES Communications - Cholet (49) - Stage Ingénieur Hyperfréquences / Radiofréquences

    2009 - 2009 Etude et Réalisation de Filtres Accordables en Bande L et S

    Développement de filtres "combline" tractables à l’aide de diodes Varicap,
    Simulations électromagnétiques des filtres dynamiques sous ADS,
    Optimisation des layouts sous Momentum,
    Mesures expérimentales des filtres.

  • Université de Limoges (87) - Etalonnage TRL d'un Analyseur de Réseaux Vectoriel à l'aide du logiciel Scilab

    2008 - 2008 Projet Master Professionnel THEO - 1ère Année :

    Etalonnage TRL d’un Analyseur de Réseaux Vectoriel à l’aide du logiciel Scilab

  • Atelier InterUniversitaire de Micro-Electronique (AIME) - Toulouse (31) - Conception d'un wafer avec des éléments actifs/passifs, circuits combinatoires en technologie NMOS

    2008 - 2008 Formation pratique sur les opérations de fabrication et à la technologie des composants et circuits intégrés MOS de type N à grille polysilicium auto-alignée utilisant 4 niveaux de masquage.


    Réalisation, à partir d’un wafer de silicium vierge (ou oxydé), des diverses opérations de fabrication des composants (photolithographies, gravures chimiques et sèches, oxydations thermiques, dépôts de couches minces de polysilicium et d’oxyde, dopage par diffusion thermique ou implantation ionique, métallisation), de caractérisation physique (épaisseurs des couches, résistivité, profondeur de jonction), et de test électrique des structures réalisées (diodes, résistances, capacités MOS, transistors MOS).

Formations

  • Université Limoges LCSN

    Limoges 2007 - 2009 Master Professionnel THEO "Techniques et Technologies Hyperfréquences Electroniques et Optiques"

    En relation avec l'Unité de Recherche CNRS XLIM

Réseau

Annuaire des membres :