Dario RAPISARDA

En résumé

Entreprises

• NXP - Product Engineer

  2016 - maintenant

• 3SUN - Ingénieur R&D

  2014 - 2015 _ Développement et intégration d'une couche, obtenue par PECVD, de SiOx dans des cellules
  Tandem
  _ Caractérisation physique et électrique des cellules photovoltaïques (EQE, J(V), Ellipsometry)
  _ Gestion de la phase préindustrielle de la nouvelle cellule Tandem (panneaux des gaz, essais)

• CEA-Grenoble (France) - Chef de projet

  PARIS 2009 - 2013 _ Développement de Software & Hardware (Atmel µcontrollers) pour acquisition de données
  _ Caractérisation électrique de TEG (générateurs thermoélectriques) et assemblage de systèmes
  de harvesting
  _ Conception e fabrication de systèmes de harvesting piézoélectriques
  _ Conception e réalisation de démonstrateurs de harvesters pour le photovoltaïque
  Chef de projet « photovoltaïque à film mince (CIGS)»
  _ Mise au point de couches tampon sans cadmium, par voie PVD
  _ Interconnexions monolithiques sur modules PV en couches minces

• STMicrolectronics - Ingénieur de conception

  2008 - 2009 _ Etude préliminaire (transistor level) de la taille des portes logiques en technologie C32
  _ Implémentation d'un nouveau « Test Code Register » dans les macro-cells C32
  _ Validation « Full schematic » des principales fonctions d'une macro-cell (Read, Write, Refresh)

• STMicroelectronics - RF Model Engineer

  2004 - 2008 Caractérisation et modélisation en Radio Fréquences.
  et modélisation SPICE de Varactors MOS et Diode.
  _ Rédaction d'un DOE spécifications de layout pour Varactors MOS et Diode en technologie
  CMOS045.
  _ Construction de modèles paramétrés ELDO pour Varactors MOS et Diode en technologie
  CMOS065.
  _ Caractérisation et modélisation HF d'un Varactor « hautement dopé » en technologie H9SiGe.
  _ Caractérisation et modélisation HF de diodes ESD, dans les technologies H9SOI & C065.

• STMicroelectronics - Ingénieur de procèdes

  2000 - 2004 _ Mise à jour des recettes de fabrication sur les fours RTP.
  _ Optimisation des « Lamp Correction Tables » à la suite d'interventions de maintenance sur
  RTP.
  _ Suivi SPC (Statistical Process Control) des paramètres clé (pour équipements et produits).
  _ Rédaction du document FMEA (Failure Mode Effects Analysis) pour les fours RTP.

• STMicroelectronics - Ingénieur d'équipement

  1998 - 2000 : Ingénieur d'équipement, area gravures humides.
  _ Contribution à l'augmentation du MTBF des équipements
  _ Amélioration de la fiabilité des équipements qui avaient été soumis à un retrofit de la sonde de
  température.
  _ Support de production, en assurant le rendement des équipements SMS/Akrion et FSI Mercury.

• STMicroelectronics - Ingénieur d'équipement

  1995 - 1998 : Ingénieur d'équipement, area traitements thermiques.
  _ Contribution à la réduction du « Down Time » et du « Mean Time to Repair » des fours
  verticaux.
  _ Ecriture de procédures de maintenance pour les fours atmosphériques et les fours LPCVD
  (SVG, TEL).
  _ Gestion de la formation des opérateurs en équipe de nuit.

• SGS-Thomson Microlectronics - Ingénieur d'équipement

  1993 - 1995 : Ingénieur d'équipement, area traitements thermiques.
  _ Mission de deux ans sur le site de Crolles (France) pour assurer le transfert des technologies de
  fabrication des puces (sur tranches de 8 pouces), vers la nouvelle usine M5 de Catane.

Formations

• Conservatoire National des Arts et Métiers

  Paris 2000 - 2005 Diplôme d'ingénieur
  
  _ D.E.S.T en Electronique: Conservatoire National des Arts et Métiers Paris (France)
  _ D.P.C.T en Métallurgie: Conservatoire National des Arts et Métiers Paris (France)

Réseau

• Alain WITTMANN