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Olivier DESPLATS

MARIGNANE

En résumé

Compétences Scientifique:
Physique des Matériaux, Physique des Surfaces et Interfaces, Physique des semi conducteurs,
- Travail dans un Environnement de Salle Blanche en Classe 100 – 10 000
- Maîtrise des procédés technologiques de fabrication microélectronique des dispositifs semi conducteurs
- Conception, élaboration, spécification de briques technologiques
- Croissance de couches minces: Molecular Beam Epitaxy (MBE), Atomic Layer Deposition (ALD), et Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
- Structurations de surfaces par lithographie de Nano-impressions et Gravures plasma et humide
- Caractérisations Physico-Chimiques des Matériaux: AFM, XPS, ATR-FTIR, RHEED, AES, SEM, PL, XRD, DSC.
- Veille technologique

Gestion de Projet:
- Définition de plans d'expériences avec coordination et suivi des taches,
- Organisation de réunions d'avancement,
- Rédaction de documents de synthèses scientifiques et techniques

Mes compétences :
Caractérisation physico chimique
Couches minces
Epitaxie
Lithographie
matériaux
traitements de surface
Gestion de projet
Traitement de surface
Communication
Enseignement
Ingénierie
Recherche

Entreprises

  • Eurocopter - Ingénieur Système de Navigation

    2012 - maintenant
  • LTM-CNRS-LETI - Ingénieur de Recherche PostDoc

    2011 - 2012 En charge de:
    - l'étude de la structuration de substrats souples en polymères par lithographie de Nano-impression: mise en place, optimisation et caractérisation des substrats souples par XRD, DSC et FTIR.
    - de la structuration de substrats Silicium par gravures plasmas.
  • CEA-LETI - Post Doc

    GRENOBLE 2009 - 2010 Impliqué dans un projet ANR visant laréalisation d'un MOSFET sur matériaux III-V.

    - Mises en place de traitements de surface, chimique et plasma, pour décontaminer la surface et exalter les propriétés hydrophiles de celle-ci,
    - Dépôt d'une couche d'Al2O3 à forte constante diélectrique sur un substrat III-V par ALCVD(Atomic Layer Deposition),
    - Caractérisations de l'interface high-k/III-V par XPS (Spectroscopie de Photoélectrons X), ATR-FTIR (Spectroscopie infrarouge), et de la surface des échantillons par AFM (Microscope à force atomique), Mesures d'angles de gouttes d'eau.

    - Définition de plans d'expériences avec coordination et suivi des taches,
    - Organisation de réunions d'avancement,
    - Rédaction de documents de synthèses scientifiques et techniques
    - Veille technologique
  • Université Paul Sabatier - Toulouse 3 - Moniteur de l'UFR Physique - Chimie - Automatique

    Toulouse 2004 - 2007 Encadrement de travaux dirigés et de travaux pratiques
  • Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes - Doctorant

    2004 - 2008 Préparation de surfaces structurées et reprise d'épitaxie par jets moléculaire – Réalisation de Micro et Nano-structures sur GaAs.

    - Structurations de la surface de semi conducteurs III-V par Nano-Impression (NIL) en utilisant une résine époxy siloxane réticulant thermiquement, par faisceau d'électrons (EBL) et par UV,
    - Optimisation du nettoyage de surface pour la reprise d'épitaxie par une approche tout plasma, mise en place d'un traitement plasma micro onde ex-situ à base de fluor et désoxydation in-situ des échantillon par un plasma radio fréquence d'Hydrogène,
    - Validation de la reprise de croissance par épitaxie par jets moléculaires sur des échantillons processés par la réalisation de puits quantiques luminescent,
    - Etude de la croissance sélective de boites quantiques III-V sur des surfaces de GaAs nano-structurées.

    Caractérisations utilisées au cours de ces travaux: AFM (Microscope à force atomique), SEM (Microscope électronique à balayage), RHEED (Diffraction d'électrons à hautes énergies par réflexion), PL (Spectroscopie de Photoluminescence), AES ( Spectroscopie d' Electrons Auger), Profilomètre mécanique, et Interprétation de données provenant de: SIMS (Spectrométrie de Masse d'Ions secondaires), XPS (Spectroscopie de Photoélectrons X) TEM ( Microscope Electronique en Transmission).

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